माइक्रोन टेप 128-लेयर 3 डी नंद फ्लैश मेमोरी से बाहर निकलता है



Micron Technology has taped out its 4th generation 3D NAND flash memory with 128 layers. This paves the way for mass production and product implementations in 2020. The 4th gen 3D NAND by Micron continues to use a CMOS-under-array design, but with Replacement Gate (RG) Technology instead of Floating Gate, which Micron and the erstwhile IMFlash Technology had been using for years. Micron is currently mass-producing 96-layer 3D NAND flash, and TLC remains the prominent data-storage physical layer despite the advent of QLC (4 bits per cell).

माइक्रोन टिप्पणी करता है कि यह 4 जी 128-परत 3 डी नंद एक स्टॉपगैप होगा जो कुछ चुनिंदा अनुप्रयोगों तक ही सीमित होगा, और इसके मौजूदा 96-लेयर चिप्स के रूप में गोद लेने का तरीका नहीं देख सकता है। कंपनी अपने विकास पर अधिक केंद्रित प्रतीत होती है, संभवतः 5 वीं पीढ़ी के 3 डी नंद, जो कि कंपनी के लिए मूर्त लागत-प्रति-बिट लाभ लाने की उम्मीद करते हैं, क्योंकि यह एक नए सिलिकॉन निर्माण नोड में संक्रमण करता है, और इसके अलावा नई तकनीकों को भी लागू करता है। आरजी। 'हमने अपने पहले पैदावार को कम करने के लिए रिप्लेसमेंट गेट या' आरजी 'का उपयोग करके मृत्यु को प्राप्त किया। यह मील का पत्थर हमारे आरजी संक्रमण के लिए जोखिम को कम करता है। एक अनुस्मारक के रूप में, हमारा पहला आरजी नोड 128 परतों वाला होगा और इसका उपयोग उत्पादों के चुनिंदा सेट के लिए किया जाएगा। जब हमारी दूसरी पीढ़ी की आरजी नोड को मोटे तौर पर तैनात किया जाता है, तो हम उम्मीद नहीं करते हैं कि वित्त वर्ष 2015 तक आरजी सार्थक लागत में कटौती करेगा। नतीजतन, हम वित्त वर्ष 2015 में नंद में न्यूनतम लागत में कटौती की उम्मीद कर रहे हैं। माइक्रोन के सीईओ और अध्यक्ष संजय मेहरोत्रा ​​ने कहा, हमारा आरजी उत्पादन परिनियोजन दृष्टिकोण हमारे एनएएनडी पूंजी निवेश के आरओआई का अनुकूलन करेगा।
Source: AnandTech