सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स नई Flashbolt HBM2E उच्च बैंडविड्थ मेमोरी का परिचय देता है

Samsung Electronics Co., Ltd., the world leader in advanced semiconductor technology, today announced its new High Bandwidth Memory (HBM2E) product at NVIDIA's GPU Technology Conference (GTC) to deliver the highest DRAM performance levels for use in next-generation supercomputers, graphics systems, and artificial intelligence (AI).

नया समाधान, Flashbolt, 3.2 गीगाबिट्स-प्रति सेकंड (Gbps) डेटा ट्रांसफर गति प्रति पिन देने वाला उद्योग का पहला HBM2E है, जो पिछली पीढ़ी के HBM2 की तुलना में 33 प्रतिशत अधिक तेज है। फ्लैशबोल्ट में प्रति सेकंड 16Gb का घनत्व होता है, जो पिछली पीढ़ी की क्षमता से दोगुना है। इन सुधारों के साथ, एक एकल सैमसंग एचबीएम 2 ई पैकेज 410 गीगाबाइट-प्रति-सेकंड (जीबीपीएस) डेटा बैंडविड्थ और 16 जीबी मेमोरी प्रदान करेगा। 'Flashbolt's industry-leading performance will enable enhanced solutions for next-generation data centers, artificial intelligence, machine learning, and graphics applications,' said Jinman Han, senior vice president of Memory Product Planning and Application Engineering Team at Samsung Electronics. 'We will continue to expand our premium DRAM offering, and improve our 'high-performance, high capacity, and low power' memory segment to meet market demand.'