SK Hynix अपने HBM2E मेमोरी उत्पाद, 460 जीबी / एस और 16 जीबी प्रति स्टैक की घोषणा करता है


SK Hynix Inc. announced today that it has developed HBM2E DRAM product with the industry's highest bandwidth. The new HBM2E boasts approximately 50% higher bandwidth and 100% additional capacity compared to the previous HBM2. SK Hynix's HBM2E supports over 460 GB (Gigabyte) per second bandwidth based on the 3.6 Gbps (gigabits-per-second) speed performance per pin with 1,024 data I/Os (Inputs/Outputs). Through utilization of the TSV (Through Silicon Via) technology, a maximum of eight 16-gigabit chips are vertically stacked, forming a single, dense package of 16 GB data capacity.

SK Hynix का HBM2E चौथे औद्योगिक युग के लिए एक इष्टतम मेमोरी सॉल्यूशन है, जो उच्च-स्तरीय GPU, सुपर कंप्यूटर, मशीन लर्निंग और आर्टिफिशियल इंटेलिजेंस सिस्टम को सपोर्ट करता है, जिसमें अधिकतम स्तर के मेमोरी प्रदर्शन की आवश्यकता होती है। कमोडिटी डीआरएएम उत्पादों के विपरीत, जो मॉड्यूल पैकेज रूपों को लेते हैं और सिस्टम बोर्ड पर लगे होते हैं, एचबीएम चिप को जीपीयू और लॉजिक चिप जैसे प्रोसेसर के साथ निकटता से जोड़ा जाता है, जो केवल कुछ ही यूनिटों को अलग करते हैं, जो कि तेज डेटा ट्रांसफर की भी अनुमति देता है।

'SK Hynix has established its technological leadership since its world's first HBM release in 2013,' said Jun-Hyun Chun, Head of HBM Business Strategy. 'SK Hynix will begin mass production in 2020, when the HBM2E market is expected to open up, and continue to strengthen its leadership in the premium DRAM market.'